Главная arrow Публикации arrow Литографические процессы
Main Menu
 Главная
 Новости
 Публикации
 Литографические процессы
 Базовые основы наноэлектроники и Одноэлектроника
 Тонкие пленки оксидов переходных металлов (ОПМ)
 Другие статьи
 Нано-элементы для обработки оптической информации
 FAQ
 Ссылки
 Контакты

Who's Online
На сайте:
6 гостей

Hit Counter
715540 посетителей

Наш баннер:
Мы будем рады, если вы разместите на своем сайте нашу кнопочку
NANO_Technologies


Newsflash
Возможно использование наночастиц в крови, которые разносят кислород по телу в 250 раз эффективнее, чем обычная кровь человека. Теперь можно задерживать дыхание на 4 часа или на 15 минут при максимальных нагрузках.

 21 August 2018
Литографические процессы

Одним из определяющих технологических процессов в микроэлектронике в течение более 40 лет продолжает оставаться литография. Литография или микролитография, а сейчас может быть уместно, говорить о нанолитографии, предназначена для создания топологического рисунка на поверхности монокристаллической кремниевой пластины. Базовый литографический процесс представлен на рис. 1 и включает в себя, по крайней мере, 10 ступеней. Темой нашей лекции будут только два этапа, связанные с непосредственным переносом изображения маски на поверхность полупроводниковой структуры (ступени 8 и 9).

1. подготовка поверхности (промывка и сушка)
2. нанесение резиста (тонкая пленка полимера наносится ценрифугированием)
3. сушка (удаление растворителя и перевод резиста в твердую растворимую фазу)
4. совмещение фотошаблона и экспонирование (положительный резист под действием света переходит в нерастворимую фазу)
5. проявление резиста (промывка в растворителе, удаляющем неэкспонированный резист)
6. стабилизирующий отжиг (удаление остатков растворителя)
7. контроль и исправление дефектов
8. травление (непосредственный перенос рисунка маски на поверхность полупроводниковой структуры)
9. удаление фоторезиста

10. финишный контроль
 
Рис. 1 10 ступеней литографического процесса * случай для положительного фоторезиста

Долгие годы для проведения травления использовались различные влажные химические процессы (термин влажные подразумевает использование для травления полупроводниковых структур водных и безводных растворов химически активных компонентов). Однако необходимость непрерывного повышения степени интеграции и информационной емкости микросхем привело к тому, что влажные процессы не могли обеспечить необходимого разрешения.
Для демонстрации этого утверждения рассмотрим один из элементов таких широко применяемых микросхем как динамическую память с произвольным доступом (DRAM). Благодаря тому, что новые поколения компьютеров требуют все большей и большей емкости память, а также тому, что в составе этих микросхем используются огромное количество однотипных элементов, эти микросхемы обладают наивысшей степенью интеграции.

Рис. 2 ячейка памяти с trench конденсатором

На рис. 2 показана одна из ячеек памяти DRAM чипа разработанного фирмой IBM. В состав ячейки входят МОП транзистор и конденсатор для хранения информационного заряда. В данном случае конденсатор имеет конфигурацию так называемого траншейного (trench) конденсатора. Он имеет ширину 0,25 мкм и технология его изготовления включает несколько литографических операций с разрешением 0,15 мкм. Всего же для изготовления такой микросхемы необходимо более 20 литографических операций с травлением самых различных материалов: кремния, диоксида кремния двух типов, поликремния, алюминия или меди, вольфрама.

Влажные процессы травления имеют очень высокую селективность и с успехом ис-пользуются при изготовлении микросхем с размерами микронного масштаба. Однако при травлении линий с субмикронным разрешением и одновременно с высоким отношением высоты линии к ее ширине влажные процессы перестают работать. Можно выделить следующие причины, лимитирующие применение влажных процессов.

1. Размер рисунка не может быть меньше 2 мкм.
2. Влажное травление – изотропный процесс, что приводит к формированию рисунка с наклонными стенками.
3. Влажное травление требует многоступенчатой промывки и сушки.
4. Используемые химикаты, как правило, сильноядовиты и токсичны.
5. Влажные процессы вносят дополнительные загрязнения.

Все это привело к тому, что вначале 70 годов основным технологическим процессом травления стали различные формы плазменной обработки.
Обычно выделяют две разновидности плазменных процессов травления – непосредственно плазменные и ионнолучевые. Под плазменными понимаются процессы, в которых обрабатываемая подложка или ее держатель являются в той или иной мере элементами плазменного реактора и участвуют в ионизации рабочего газа. Так как удаляемые травлением слои, как правило, имеют высокое сопротивление (изоляторы или полупроводники), то для исключения зарядки поверхности используют высокочастотный разряд. В ионнолучевых процессах обработка подложек происходит потоком ионов или нейтральных частиц, образованных в автономном источнике.

На странице # 
 Дата Название Автор
28 Nov  Плазменное травление Irina Bolshakova 11739
30 Nov  Анализ ключевых аспектов плазменного травления Irina Bolshakova 7454
30 Nov  Ионно-лучевое травление Irina Bolshakova 11296
30 Nov  Химическое травление потоком нейтральных частиц Irina Bolshakova 6228
30 Nov  Заключение и Литература Irina Bolshakova 5974
2 Dec  Оптическая литография, получение нано-структур Irina Bolshakova 13054
2 Dec  Альтернативные источники экспонирования Irina Bolshakova 5361
2 Dec  Литография с экстремальным ультрафиолетом Irina Bolshakova 6936
2 Dec  Проекционная электронно-лучевая литография Irina Bolshakova 11421
<< [Первая] < [Пред] 1 [След] > [Последняя] >>
Результаты 1 - 9 из 9
 
  Литографические процессы
  Базовые основы наноэлектроники и Одноэлектроника (10)
  Тонкие плёнки оксидов переходных металлов (10)
  Статьи: природа и нанотехнолгии (2)
  Разработка элементов дифракционной оптики на основе пленок ОПМ для обработки оптической информации (5)
Most Read
Методы получения тонкопленочных структур
Квантовые ямы, нити, точки
Физические основы наноэлектроники
Получение нанокристаллических пленок ванадия, исследование их свойств
Сайт Нано Технологии

Shout It!

Имя:

Сообщение:


 
Go to top of page  Главная | Новости | Публикации | FAQ | Ссылки | Контакты |
Mambo 
Copyright © 2002-2005 Stefanovich G.B. & Bolshakova I.P.

НОЦ Плазма Петрозаводский государственный университет