Главная arrow Публикации arrow Базовые основы наноэлектроники и Одноэлектроника
Main Menu
 Главная
 Новости
 Публикации
 Литографические процессы
 Базовые основы наноэлектроники и Одноэлектроника
 Тонкие пленки оксидов переходных металлов (ОПМ)
 Другие статьи
 Нано-элементы для обработки оптической информации
 FAQ
 Ссылки
 Контакты

Who's Online
На сайте:
6 гостей

Hit Counter
702916 посетителей

Наш баннер:
Мы будем рады, если вы разместите на своем сайте нашу кнопочку
NANO_Technologies


Newsflash
В 1982 г. Г. Бининг и Г. Рорер создали первый сканирующий туннельный микроскоп (СТМ).

 22 May 2018
Базовые основы наноэлектроники и Одноэлектроника
keyboard_text.jpg
На странице # 
 Дата Название Автор
2 Dec  Физические основы наноэлектроники Irina Bolshakova 21265
3 Dec  Квантовые основы наноэлектроники Irina Bolshakova 9529
3 Dec  Квантовое размерное ограничение Irina Bolshakova 10421
3 Dec  Квантовые ямы, нити, точки Irina Bolshakova 23685
3 Dec  Туннелирование - свойство квантовых частиц Irina Bolshakova 13331
4 Dec  Интерференционные эффекты. Эф. Ааронова-Бома Irina Bolshakova 11072
4 Dec  Одноэлектроника Irina Bolshakova 8418
4 Dec  Проблеммы одноэлектроники Irina Bolshakova 7479
4 Dec  Теоретические основы одноэлектроники Irina Bolshakova 15462
4 Dec  Однопереходные транзисторы, технологии получения наноструктур Irina Bolshakova 16464
<< [Первая] < [Пред] 1 [След] > [Последняя] >>
Результаты 1 - 10 из 10
 
Most Read
Методы получения тонкопленочных структур
Квантовые ямы, нити, точки
Физические основы наноэлектроники
Получение нанокристаллических пленок ванадия, исследование их свойств
Сайт Нано Технологии

Shout It!

Имя:

Сообщение:


 
Go to top of page  Главная | Новости | Публикации | FAQ | Ссылки | Контакты |
Mambo 
Copyright © 2002-2005 Stefanovich G.B. & Bolshakova I.P.

НОЦ Плазма Петрозаводский государственный университет