Главная arrow Публикации arrow Литографические процессы arrow Химическое травление потоком нейтральных частиц
Main Menu
 Главная
 Новости
 Публикации
 Литографические процессы
 Базовые основы наноэлектроники и Одноэлектроника
 Тонкие пленки оксидов переходных металлов (ОПМ)
 Другие статьи
 Нано-элементы для обработки оптической информации
 FAQ
 Ссылки
 Контакты

Who's Online
На сайте:
2 гостей

Hit Counter
702901 посетителей

Наш баннер:
Мы будем рады, если вы разместите на своем сайте нашу кнопочку
NANO_Technologies


Newsflash
В 1982 г. Г. Бининг и Г. Рорер создали первый сканирующий туннельный микроскоп (СТМ).

 22 May 2018
Химическое травление потоком нейтральных частиц   Версия для печати  Отправить на E-mail 
Опубликовал Irina Bolshakova  
30 November 2004
Рис.10 cхема реактора для химического(радикального) травления

В системах травления на основе ионных процессов происходит обработка микро-структур заряженными частицами с высокой энергией – ионами, электронами. В системе присутствуют сильные магнитные и электрические поля. Все это неизбежно приводит к созданию различного рода радиационных повреждений в обрабатываемой схеме. Кроме того, в ряде случаев плазменные процессы обладают недостаточной селективностью. Все это приводит к тому, что продолжается работа над разработкой систем для травления структур незаряженными частицами. Одним из наиболее продвинутых процессов является травление потоком химически активных но нейтральных частиц (сhemical downstream etching or CDE process). К таким частицам относятся свободные радикалы и некоторые короткоживущие молекулярные комплексы, которые возникаю в плазме соответствующих газов. Типичная схема установки для травления потоком частиц приведена на рис. 10.

СВЧ разряд в реактивном газе возбуждается в кварцевой трубе, помещенной в волновод. За счет разницы давлений в разрядной камере и реакторе плазма распространяется по транспортной трубе в разрядную камеру. Однако заряженные частицы быстро рекомбинируют, тогда как радикалы достигают обрабатываемой пластины.

Основное применение такого процесса находится в технологических операциях связанных с изотропным но высоко селективным травлением. Например, при удалении резистов, при травлении маски из нитрида кремния на оксиде или поликремнии в LOCOS процессах. При применении CDE процессов в комбинации с созданием пассивирующими слоями на боковых стенках линий было достигнуто травление с высокой анизотропией, достаточной для травления структур с высоким отношением высоты к ширине линий.

Последнее обновление ( 04 December 2004 )

Most Read
Методы получения тонкопленочных структур
Квантовые ямы, нити, точки
Физические основы наноэлектроники
Получение нанокристаллических пленок ванадия, исследование их свойств
Сайт Нано Технологии

Shout It!

Имя:

Сообщение:


 
Go to top of page  Главная | Новости | Публикации | FAQ | Ссылки | Контакты |
Mambo 
Copyright © 2002-2005 Stefanovich G.B. & Bolshakova I.P.

НОЦ Плазма Петрозаводский государственный университет