Главная arrow Публикации arrow Литографические процессы arrow Заключение и Литература
Main Menu
 Главная
 Новости
 Публикации
 Литографические процессы
 Базовые основы наноэлектроники и Одноэлектроника
 Тонкие пленки оксидов переходных металлов (ОПМ)
 Другие статьи
 Нано-элементы для обработки оптической информации
 FAQ
 Ссылки
 Контакты

Who's Online
На сайте:
14 гостей

Hit Counter
726362 посетителей

Наш баннер:
Мы будем рады, если вы разместите на своем сайте нашу кнопочку
NANO_Technologies


Newsflash
Медицинские нанороботы осваивают язык живых клеток. NASA создаёт новые материалы для защиты космических путешественников от галактических лучей.

 21 November 2018
Заключение и Литература   Версия для печати  Отправить на E-mail 
Опубликовал Irina Bolshakova  
30 November 2004

Заключение

Процессы плазменного травления широко применяются в микроэлектронике для создания топографического рельефа при производстве микросхем высокой степени интеграции.

Существующие системы и процессы, в совокупности с прецизионным подбором сложных плазмообразующих смесей и применением многослойных резистов, позволяют решить все возникающие задачи. Однако сложность и разнообразие задач заставляет применять практически для каждого литографического процесса при производстве многослойной схемы индивидуальные для каждой операции системы ионного или химического травления.
Наиболее широкое применение находят относительно дешевые планарные реакторы с конденсаторно возбуждаемой плазмой. Однако наметилась общая тенденция перехода к более сложным и следовательно более дорогим системам с индуктивно возбуждаемой плазмой. Возможность раздельного управления плотностью плазмы и энергией реактивных ионов позволяет легче приспособить процесс к возникающим технологическим задачам.
Однако переход к новому уровню интеграции, связанному с внедрением нового литографического процесса (110 нм), переход к 300 мм полупроводниковым пластинам ставит перед разработчиками задачу создания новых систем, в которых и процессов травления, в которых высокие параметры процесса будут достигаться при приемлемой цене оборудования.

Литература

1. M. Armacost, P. D. Hoh, R. Wise, W. Yan, J.J. Brown, J. H. Keller, G. A. Kaplita, S. D. Halle, K. P. Muller, M. D. Naeem, S. Srinivasan, H. Y. Ng, M. Gutsche, A. Gutmann, and B. Spu-ler. Plasma-etching processes for ULSI semiconductor circuits.// Research and development. Vol. 43 (2000), No. 1/2.

2. Mirochip Fabrication. A Practical Guide to Semiconductor Processing./ Peter Van Zant. – 3rd ed. – McGraw-Hill, 1997, p. 633.

Последнее обновление ( 01 December 2004 )

Most Read
Методы получения тонкопленочных структур
Квантовые ямы, нити, точки
Физические основы наноэлектроники
Получение нанокристаллических пленок ванадия, исследование их свойств
Сайт Нано Технологии

Shout It!

Имя:

Сообщение:


 
Go to top of page  Главная | Новости | Публикации | FAQ | Ссылки | Контакты |
Mambo 
Copyright © 2002-2005 Stefanovich G.B. & Bolshakova I.P.

НОЦ Плазма Петрозаводский государственный университет