Главная arrow Публикации arrow Литографические процессы arrow Проекционная электронно-лучевая литография
Main Menu
 Главная
 Новости
 Публикации
 Литографические процессы
 Базовые основы наноэлектроники и Одноэлектроника
 Тонкие пленки оксидов переходных металлов (ОПМ)
 Другие статьи
 Нано-элементы для обработки оптической информации
 FAQ
 Ссылки
 Контакты

Who's Online
На сайте:
11 гостей

Hit Counter
690134 посетителей

Наш баннер:
Мы будем рады, если вы разместите на своем сайте нашу кнопочку
NANO_Technologies


Newsflash
Нанороботы уже научились перемещать макроскопические объекты

 25 February 2018
Проекционная электронно-лучевая литография   Версия для печати  Отправить на E-mail 
Опубликовал Irina Bolshakova  
02 December 2004

Электронно-лучевая литография (ЭЛЛ) единственный способ создания наноструктур. Однако используются литографические процессы, основанные на прямом рисовании рисунка на поверхности резиста. Подобный способ экспонирования хорош для научных целей и в производстве фотошаблонов. Низкая производительность процесса не позволяет рассчитывать на широкое внедрение этого метода в производство.
Попытки разработать эффективную систему высокопроизводительной проекционной ЭЛЛ долгое время не давали положительного результата по двум главным причинам. Во первых, работа маски, основанная на разной поглощающей способности отдельных участков рисунка, приводила к нагреву маски в результате поглощения большой дозы излучения. Все это ограничивало ускоряющее напряжение проекционных электронных литографов. Вторая причина заключалась в том, что применение допустимых энергий электронов не допускала применении малых числовых апертур, что приводило к снижению глубины фокуса и поля зрения магнитных фокусирующих систем. Далее, большие токи луча, обеспечивающего высокую производительность системы, разрушали высокое разрешение по причине влияния пространственного заряда.
Понимание ограничений адсорбционной ЭЛЛ к появлению новых проекционных ЭЛЛ систем, одна из которых получила название SCALPEL. Главное отличие новых систем от предыдущих заключается в использовании нового типа масок. Маска системы SCALPEL представляет собой набор мембран, изготовленных из легких элементов, с высокой проницаемостью для электронов. Сам рисунок образован материалом с высокой отражательной способностью к электронам. Принцип работы системы SCALPEL представлен на рисунке 11.
Электроны проходящие через мембраны рассеиваются на малые углы, тогда как рисунок рассеивает электроны на большие углы. Апертура, расположенная в обратной фокальной плоскости полевой оптической системы пропускает электроны, рассеянные на малые углы и не пропускает электроны, рассеянные на большие углы, что приводит к формированию на подложке высококонтрастного изображения. При этом в маске не происходит значительного поглощения электронного потока, что минимизирует тепловую нестабильность маски.


 

 

 

Рис. 11

 


Most Read
Методы получения тонкопленочных структур
Квантовые ямы, нити, точки
Физические основы наноэлектроники
Получение нанокристаллических пленок ванадия, исследование их свойств
Сайт Нано Технологии

Shout It!

Имя:

Сообщение:


 
Go to top of page  Главная | Новости | Публикации | FAQ | Ссылки | Контакты |
Mambo 
Copyright © 2002-2005 Stefanovich G.B. & Bolshakova I.P.

НОЦ Плазма Петрозаводский государственный университет