Главная arrow Публикации arrow Базовые основы наноэлектроники и Одноэлектроника arrow Проблеммы одноэлектроники
Main Menu
 Главная
 Новости
 Публикации
 Литографические процессы
 Базовые основы наноэлектроники и Одноэлектроника
 Тонкие пленки оксидов переходных металлов (ОПМ)
 Другие статьи
 Нано-элементы для обработки оптической информации
 FAQ
 Ссылки
 Контакты

Who's Online
На сайте:
4 гостей

Hit Counter
689832 посетителей

Наш баннер:
Мы будем рады, если вы разместите на своем сайте нашу кнопочку
NANO_Technologies


Newsflash
Медицинские нанороботы осваивают язык живых клеток. NASA создаёт новые материалы для защиты космических путешественников от галактических лучей.

 22 February 2018
Проблеммы одноэлектроники   Версия для печати  Отправить на E-mail 
Опубликовал Irina Bolshakova  
04 December 2004

В последнее время в связи с приближением к пределам миниатюризации классических микроэлектронных приборов усилился интерес к приборам, могущим обеспечить дальнейший прогресс электроники. Одним из возможных путей такого прогресса является создание приборов, в которых контролируется перемещение определенного количества электронов, в частности, одного электрона. Создание так называемых одноэлектронных приборов открывает заманчивые перспективы цифровой одноэлектроники, в которой бит информации будет представлен одним электроном. В таких приборах перемещение электрона происходит посредством туннелирования. Так как времена туннелирования электрона достаточно малы, то теоретический предел быстродействия одноэлектронных приборов очень высок. С другой стороны, работа, необходимая для перемещения одного электрона, также мала, следовательно, энергопотребление одноэлектронных схем должно быть чрезвычайно небольшим. Так, по оценкам основоположника одноэлектроники К. К. Лихарева [1] теоретический предел быстродействия одноэлектронного прибора составляет сотни ТГц (терагерц), а энергопотребление одного прибора - 3 х10-8 Вт.

Явление одноэлектронного туннелирования впервые было предсказано в 1986 г. нашим соотечественником К.К. Лихаревым [2]. Через несколько лет после первой статьи Лихарева начало появляться множество работ, в которых описывалось экспериментальное наблюдение эффектов, предсказанных Лихаревым. Таким образом, теория блестяще подтвердилась экспериментально.
В силу особенностей, которые будут подробно обсуждены ниже, первые эксперименты проводились при очень низких температурах — несколько мК, а в настоящее время одноэлектронные эффекты наблюдаются и при комнатной температуре, однако это осуществлено лишь при использовании сканирующего туннельного микроскопа (СТМ), и приборов, работающих при комнатной температуре, до сих пор не создано. Устойчиво функционирующие приборы с воспроизводимыми характеристиками существуют лишь при температуре 4.2 К. Однако в отличие от ситуации с высокотемпературной сверхпроводимостью, где неясно, возможна ли сверхпроводимость при комнатной температуре, одноэлектронные эффекты при комнатной температуре уже наблюдались и проблема заключается в создании работоспособных приборов.


Most Read
Методы получения тонкопленочных структур
Квантовые ямы, нити, точки
Физические основы наноэлектроники
Получение нанокристаллических пленок ванадия, исследование их свойств
Сайт Нано Технологии

Shout It!

Имя:

Сообщение:


 
Go to top of page  Главная | Новости | Публикации | FAQ | Ссылки | Контакты |
Mambo 
Copyright © 2002-2005 Stefanovich G.B. & Bolshakova I.P.

НОЦ Плазма Петрозаводский государственный университет