Главная arrow Публикации arrow Базовые основы наноэлектроники и Одноэлектроника arrow Однопереходные транзисторы, технологии получения наноструктур
Main Menu
 Главная
 Новости
 Публикации
 Литографические процессы
 Базовые основы наноэлектроники и Одноэлектроника
 Тонкие пленки оксидов переходных металлов (ОПМ)
 Другие статьи
 Нано-элементы для обработки оптической информации
 FAQ
 Ссылки
 Контакты

Who's Online
На сайте:
18 гостей

Hit Counter
726411 посетителей

Наш баннер:
Мы будем рады, если вы разместите на своем сайте нашу кнопочку
NANO_Technologies


Newsflash
Идея, так называемых нано-компьютеров не является фантастикой! Многие производители сейчас ведут разработки процессоров на уровне молекул, или даже атомов. Скорость в таких компьютерах будет колоссально высокой, т.к. расстояние между деталями практически отсутствует. Да и деталей как таковых там не будет.

 21 November 2018
Однопереходные транзисторы, технологии получения наноструктур   Версия для печати  Отправить на E-mail 
Опубликовал Irina Bolshakova  
04 December 2004
 
 
Рис. 1 Схема установки МБЕ для получения легированных тройных соединений.
Вся установка размещается в камере сверхвысокого вакуума:
1.Блок нагрева, 2. Подложка, 3. Заслонка отдельной ячейки, 4. Эффузионные ячейки основных компонентов, 5. Эффузионные ячейки легирующих примесей.

 

Рис. 2 Элементарные процессы в зоне роста: 1. Адсорбция атомов из зоны смешивания на поверхности, 2. Миграция (поверхностная диффузия) адсорбированных атомов по поверхности, 3. Встраивание адсорбированных атомов в кристаллическую решетку, 4. Термическая десорбция, 5. Образование поверхностных зародышей, 6. Взаимная диффузия. Над растущей поверхностью показаны атомы газовой смеси компонентов в приповерхностной области. Буквами n-n и i-i показаны нормальная и инвертированная поверхности раздела растущей ГС. Область между этими поверхностями представляет собой квантовую яму шириной L.

 

Рис. 3 Схема горизонтального реактора открытого типа с охлаждаемыми стенками для MOCVD: 1. Кварцевый корпус, 2. Катушка ВЧгенератора для нагревания подложки, 3. Блок нагрева подложки, 4. Подложка, 5. Водяное охлаждение (впуск), 6. Водяное охлаждение (выпуск). Схематически показано распределение скоростей V и температуры T в газовом потоке в диффузионном слое вблизи подложки (масштаб не соблюден)

Применение органических резистов в литографических процессах изготовления микро- и наноструктур с большим отношением высоты линии к ширине сталкивается с серьезными ограничениями, обусловленными низкой термо- и плазмостабильностью органических материалов. Определенные преимущества могут быть получены при разработке и использовании резистов на основе неорганических соединений. Обладая принципиально высоким разрешением, подобные резисты характеризуются низкой чувствительностью. В ряде работ нами было показано, что аморфные оксиды ванадия, приготовленные с применением неравновесных технологических приемов (анодное окисление, реактивное распыление на холодные подложки) демонстрируют высокую чувствительность к фотонным и электронным воздействиям. Обнаруженные эффекты были использованы для разработки высокочувствительного неорганического фото- и элетронорезиста для субмикронной литографии.

Оценка быстродействия одноэлектронных приборов

 

Характеристики
S=a*b, нм2
С, аФ
Т, К
R, кОм
т=RC, пс
Современная технология
100Х100
300
0,15
30
10
Ближайшая перспектива
30Х30
30
1,5
30
1
Пределы нанолитографии
10Х10
3
15
30
0,1
Молекулярный уровень
3Х3
0,3
150
30
0,01

 

Последнее обновление ( 22 May 2008 )

Most Read
Методы получения тонкопленочных структур
Квантовые ямы, нити, точки
Физические основы наноэлектроники
Получение нанокристаллических пленок ванадия, исследование их свойств
Сайт Нано Технологии

Shout It!

Имя:

Сообщение:


 
Go to top of page  Главная | Новости | Публикации | FAQ | Ссылки | Контакты |
Mambo 
Copyright © 2002-2005 Stefanovich G.B. & Bolshakova I.P.

НОЦ Плазма Петрозаводский государственный университет