Главная arrow Публикации arrow Тонкие пленки оксидов переходных металлов (ОПМ) arrow Введение
Main Menu
 Главная
 Новости
 Публикации
 Литографические процессы
 Базовые основы наноэлектроники и Одноэлектроника
 Тонкие пленки оксидов переходных металлов (ОПМ)
 Другие статьи
 Нано-элементы для обработки оптической информации
 FAQ
 Ссылки
 Контакты

Who's Online
На сайте:
21 гостей

Hit Counter
726414 посетителей

Наш баннер:
Мы будем рады, если вы разместите на своем сайте нашу кнопочку
NANO_Technologies


Newsflash
Идея, так называемых нано-компьютеров не является фантастикой! Многие производители сейчас ведут разработки процессоров на уровне молекул, или даже атомов. Скорость в таких компьютерах будет колоссально высокой, т.к. расстояние между деталями практически отсутствует. Да и деталей как таковых там не будет.

 21 November 2018
Введение   Версия для печати  Отправить на E-mail 
Опубликовал Irina Bolshakova  
05 December 2004

Оксиды переходных металлов (ОПМ) представляют собой один из наиболее интересных классов веществ с разнообразными и перспективными для практического применения свойствами. Благодаря существованию незаполненных электронных d-оболочек, в соединениях с кислородом элементы переходных групп образуют сложные системы фаз с переменной валентностью, обладающие широким спектром различных физико-химических свойств. В частности, по типу проводимости эти вещества могут быть как диэлектриками (Ta2О5, Nb2О5) или полупроводниками (FeO, MnO2), так и металлами (VO, TiO, RuO2). Неординарные свойства соединений переходных металлов обусловлены спецификой поведения d-электронов: малая пространственная протяжённость d-волновых функций, сильныe межэлектронныe и электрон-фононныe корреляции; т.е. в соединениях d-элементов характерные энергии взаимодействия электронов с фононами и между собой сравнимы с шириной зоны или с кинетической энергией электрона. Одним из ярких проявлений указанных эффектов фазовый переход металл-изолятор, проявляющийся во многих оксидах переходных металлов.

Для многих оксидов переходных металлов характерно также явление переключения, связанное с развитием токовых неустойчивостей в сильных электрических полях, приводящих к появлению на вольт-амперных характеристиках участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Эффект отрицательного сопротивления потенциально перспективен для создания различных приборов и устройств.

Еще одним направлением исследований в физико-химии оксидов переходных металлов важным как в научном так и прикладном аспектах является исследование модификации их свойств под действием высокоэнергетичных потоков когерентного оптического (лазерного) излучения, а также при электронной и ионной бомбардировке. Многие оксидные фазы проявляют высокую чувствительность к фотонным и корпускулярным потокам. Причина высокой чувствительности соединений переходных металлов к такого рода воздействиям связана опять же с электронным строением атомов d-элементов. Наличие недостроенной d-оболочки приводит к тому, что переходные металлы проявляют в соединениях широкий набор валентных состояний, образуя целый ряд фаз. причем существуют окислы, не отвечающие формально какому-то целочисленному значению валентности металла. Для большинства оксидов переходных металлов характерны также значительные отклонения от стехиометрического состава в пределах достаточно широкой области гомогенности. Следствием указанных особенностей электронного строения является также то, что энергии различных фазовых и структурных преобразований в оксидах d-металлов относительно невелики. Это открывает возможность селективного воздействия при лазерной или корпускулярной модификации, управляемой выбором длины волны излучения или энергией частиц.

Определенные преимущества в использовании оксидов в научном и особенно в практическом планах может дать использование в качестве объектов исследования не объемных образцов, а тонких пленок. Успехи, достигнутые в технологии и материаловедении тонких оксидных пленок позволяют в настоящее время получать высококачественные слои заданной толщины на различных подложках, не уступающие по уровню совершенства “идеальным” монокристаллам. В то же время, в пленках можно без труда реализовать эффекты сильного электрического поля, проводить исследования в широком диапазоне температур. При взаимодействии с коротковолновым лазерным излучением или электронными и ионными пучками, малая толщина образца важна для однородного распределения поглощенной энергии.

Последнее обновление ( 10 December 2004 )

Most Read
Методы получения тонкопленочных структур
Квантовые ямы, нити, точки
Физические основы наноэлектроники
Получение нанокристаллических пленок ванадия, исследование их свойств
Сайт Нано Технологии

Shout It!

Имя:

Сообщение:


 
Go to top of page  Главная | Новости | Публикации | FAQ | Ссылки | Контакты |
Mambo 
Copyright © 2002-2005 Stefanovich G.B. & Bolshakova I.P.

НОЦ Плазма Петрозаводский государственный университет