Главная arrow Публикации arrow Нано-элементы для обработки оптической информации arrow Переход металл-изолятор в оксидах переходных металлов
Main Menu
 Главная
 Новости
 Публикации
 Литографические процессы
 Базовые основы наноэлектроники и Одноэлектроника
 Тонкие пленки оксидов переходных металлов (ОПМ)
 Другие статьи
 Нано-элементы для обработки оптической информации
 FAQ
 Ссылки
 Контакты

Who's Online
На сайте:
6 гостей

Hit Counter
702724 посетителей

Наш баннер:
Мы будем рады, если вы разместите на своем сайте нашу кнопочку
NANO_Technologies


Newsflash
Медицинские нанороботы осваивают язык живых клеток. NASA создаёт новые материалы для защиты космических путешественников от галактических лучей.

 21 May 2018
Переход металл-изолятор в оксидах переходных металлов   Версия для печати  Отправить на E-mail 
Опубликовал Irina Bolshakova  
31 May 2008

Актуальность исследований фазовых переходов в твердом теле обусловлена также очевидными перспективами практических применений, поскольку такие переходы всегда сопряжены с резкими и значительными изменениями физических свойств материалов при малых вариациях внешних параметров, таких как температура, давление, индукция электрического или магнитного поля.

Существует несколько типов переходов металл-изолятор. Это, например, переход Андерсона в результате локализации носителей при разупорядочении, переход в легированных полупроводниках при изменении концентрации легирующей примеси или состава. Есть, однако, целый класс материалов, в которых ПМИ осуществляется в одном и том же по химическому составу веществе, без каких-либо изменений его стехиометрии, концентрации или характера распределения примесей или нарушений дальнего кристаллографического порядка. В этом случае переход обусловлен исключительно изменением термодинамических параметров, таких как температура или давление.

Феноменологически ПМИ выглядит как резкое и обратимое изменение физических (электрические, оптические, магнитные) и химических свойств материала при изменении, например, температуры. Часто ПМИ сопровождается перестройкой атомной структуры.

Среди таких материалов особый интерес представляют некоторые соединения d- и f- элементов. Причина ПМИ в них заключается, очевидно, в специфике поведения d- и f-электронов. d- и особенно f-состояния, обладают анизотропным характером распределения электронной плотности и малой пространственной протяжённостью и слабо перекрываются при образовании кристалла. Это приводит к тому, что электронные зоны в таких кристаллах, узки по сравнению с s- и p-зонами. При движении электрона в узких зонах его кинетическая энергия сравнима с энергиями электронно-фононного и межэлектронного взаимодействий, что может приводить к исчезновению исходного металлического состояния с появлением диэлектрической щели в электронном спектре.

Последнее обновление ( 31 May 2008 )

Shout It!

Имя:

Сообщение:


 
Go to top of page  Главная | Новости | Публикации | FAQ | Ссылки | Контакты |
Mambo 
Copyright © 2002-2005 Stefanovich G.B. & Bolshakova I.P.

НОЦ Плазма Петрозаводский государственный университет