Главная arrow Публикации arrow Нано-элементы для обработки оптической информации arrow Изменение свойств ОПМ под действием температуры и лазерного излучения
Main Menu
 Главная
 Новости
 Публикации
 Литографические процессы
 Базовые основы наноэлектроники и Одноэлектроника
 Тонкие пленки оксидов переходных металлов (ОПМ)
 Другие статьи
 Нано-элементы для обработки оптической информации
 FAQ
 Ссылки
 Контакты

Who's Online
На сайте:
26 гостей

Hit Counter
726419 посетителей

Наш баннер:
Мы будем рады, если вы разместите на своем сайте нашу кнопочку
NANO_Technologies


Newsflash
Наноиндустрия как универсальная и наукоёмкая область -это путь к третьей, невиданной по своему размаху научно-технической революции, которая изменит облик мира уже к концу первого десятилетия XХl века

 21 November 2018
Изменение свойств ОПМ под действием температуры и лазерного излучения   Версия для печати  Отправить на E-mail 
Опубликовал Irina Bolshakova  
01 September 2008

Влияние термических обработок на свойства аморфной VO2

Свойства исходных аморфных пленок нестабильны и значительно изменяются в процессе измерений и хранения. Возможной причиной подобной нестабильности является кристаллизация и (или) окислительно-восстановительные реакции на поверхности и на межфазных границах внутри объема материала. Для получения информации о подобных процессах исследовалось влияние различных термообработок на свойства (ПМИ) исходных пленок.

Использовались образцы стехиометрия которых соответствовала VO2. Термическая обработка производилась в различных режимах:
– на воздухе в течение 2 минут при различных температурах (до 5000С);
– в вакуумной камере в течение 2 минут при различных температурах (до 5000С) и давлении остаточных паров ~10-5 мм.рт.ст.;

После термообработок измерялись температурные зависимости коэффициента отражения света для длины волны  = 1 мкм.

Результаты измерений для образцов, термообработанных в вакууме, приведены на рис. 5.1.1. Видно, что нагрев в вакууме до температур, больших чем 100-1500С, приводит к уменьшению скачка коэффициента отражения при ПМИ (R=Rm-Rs) за счет увеличения коэффициента отражения в полупроводниковой фазе. Это изменение может трактоваться как металлизация системы в ходе термообработки. Отметим, далее, что параллельно наблюдается заметное снижение температуры перехода. Нагрев до температур, больших чем 200-2500С, приводит к полному подавлению ПМИ за счет перехода образца в металлическую фазу. Дальнейшее увеличение температуры термообработки не вызывает существенных изменений в величине коэффициента отражения.

Несколько иная картина наблюдается в случае измерения образцов, подвергнутых термической обработке на воздухе (см.рис.5.1.2). При нагреве в диапазоне от 100 до 2000С происходит постепенное подавление перехода и металлизация образца, что совершенно аналогично экспериментам по термообработке в вакууме. Однако дальнейшее увеличение температуры приводит к тому, что ПМИ снова начинает проявляться. Параметры перехода в этом случае совершенно иные: температура перехода возросла (Тt ~650C), ширина петли гистерезиса уменьшилась (Тt ~10-150C), величина скачка коэффициента отражения возросла (по крайней мере для образцов, термообработанных до температур, больших чем 4000С). Дальнейшее увеличение температуры отжига приводит к новому подавлению перехода.

Для объяснения полученных результатов можно предположить, что стехиометрический состав исходных образцов смещен в сторону недостатка кислорода. Кислородные вакансии в рассматриваемых в данной работе оксидах могут играть роль дефектов донорного типа.

Последнее обновление ( 01 September 2008 )

Most Read
Методы получения тонкопленочных структур
Квантовые ямы, нити, точки
Физические основы наноэлектроники
Получение нанокристаллических пленок ванадия, исследование их свойств
Сайт Нано Технологии

Shout It!

Имя:

Сообщение:


 
Go to top of page  Главная | Новости | Публикации | FAQ | Ссылки | Контакты |
Mambo 
Copyright © 2002-2005 Stefanovich G.B. & Bolshakova I.P.

НОЦ Плазма Петрозаводский государственный университет